반도체 결정 속의 도전작용을 이용한 증폭용 소자(素子). 이를 앰프에 적용하여 만든 것이 트랜지스터 앰프라고 합니다. 1948년 미국 벨전화연구소의 W.H.브래튼, J.바딘 및 W.쇼클리 는 반도체 격자구조의 시편(試片)에 가는 도체선을 접촉시켜 주면 전기신호의 증폭작용을 나타내는 것을 발견하여 이를 트랜지스터라고 명명하였습니다. 이것이 그 동안 신호증폭의 구실을 해 오던 진공관(眞空管)과 대치되는 트랜지스터의 시초가 된 것입니다. 트랜지스터 그 자체가 소형이어서 이를 사용하는 기기(機器)는 진공관을 사용할 때에 비하여 소형이 되며, 가볍고 소비전력이 적어 편리한 장점을 가지고 있습니다. 그러나 초기에는 잡음·주파수 특성이 나쁘고, 증폭도 충분하지 못하였으나, 그 후 많이 개량되어 아주 대전력을 다룰 수 있는 등 특수한 경우를 제외하고는 진공관을 시장에서 밀어내고 2세대 앰프의 선두 주자로 나서게 되었습니다.
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